BSO207P參數(shù)：MOSFET DUAL P-CH 20V 5.7A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)P溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：5.7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：45毫歐@5.7A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.2V@40µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：23.4nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1013pF@15V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：P-DSO-8
